Número de pieza del fabricanteCYDD09S36V18-200BBXC
Fabricante / MarcaCypress Semiconductor Corp
Cantidad disponible21600 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónIC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA
categoria de productoMemoria
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos CYDD09S36V18-200BBXC.pdf

Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de CYDD09S36V18-200BBXC en 24 horas.

Número de pieza
CYDD09S36V18-200BBXC
Estado de producción (ciclo de vida)
Contact us
Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
SRAM
Tecnología
SRAM - Dual Port, Synchronous
Tamaño de la memoria
9Mb (128K x 36 x 2)
Frecuencia de reloj
200MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página
-
Tiempo de acceso
500ps
interfaz de memoria
Parallel
Suministro de voltaje
1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / caja
256-LBGA
Paquete de dispositivo del proveedor
256-FBGA (17x17)
Peso
Contact us
Solicitud
Email for details
Repuesto
CYDD09S36V18-200BBXC

Componentes relacionados hechos por Cypress Semiconductor Corp

Palabras clave relacionadas para "CYDD09"

Número de pieza Fabricante Descripción
CYDD09S36V18-167BBXC Cypress Semiconductor Corp IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA
CYDD09S36V18-167BBXI Cypress Semiconductor Corp IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA
CYDD09S36V18-200BBXC Cypress Semiconductor Corp IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA