Número da peça do fabricanteCY7C12681KV18-450BZXC
Fabricante / MarcaCypress Semiconductor Corp
Quantidade disponível87110 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveIC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
Categoria de ProdutoMemória
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados CY7C12681KV18-450BZXC.pdf

Por favor preencha o formulário de inquérito abaixo, nós responderemos a cotação para CY7C12681KV18-450BZXC dentro de 24 horas.

Número da peça
CY7C12681KV18-450BZXC
Status de produção (ciclo de vida)
Contact us
Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Obsolete
Tipo de memória
Volatile
Formato de Memória
SRAM
Tecnologia
SRAM - Synchronous, DDR II+
Tamanho da memória
36Mb (2M x 18)
Freqüência do relógio
450MHz
Escreva tempo de ciclo - Palavra, Página
-
Tempo de acesso
-
Interface de Memória
Parallel
Tensão - Fornecimento
1.7 V ~ 1.9 V
Temperatura de operação
0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
165-LBGA
Pacote de dispositivos de fornecedores
165-FBGA (13x15)
Peso
Contact us
Aplicação
Email for details
Peça de reposição
CY7C12681KV18-450BZXC

Componentes relacionados feitos por Cypress Semiconductor Corp

Palavras-chave relacionadas para "CY7C126"

Número da peça Fabricante Descrição
CY7C1261V18 CYPRESS 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC
CY7C1261V18-300BZC CYPRESS 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC
CY7C1261V18-300BZI CYPRESS 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC
CY7C1261V18-300BZXC CYPRESS 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC
CY7C1261V18-300BZXI CYPRESS 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC
CY7C1261V18-333BZC CYPRESS 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC
CY7C1261V18-333BZI CYPRESS 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC
CY7C1261V18-333BZXC CYPRESS 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC
CY7C1261V18-333BZXI CYPRESS 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC
CY7C1261V18-375BZC CYPRESS 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC
CY7C1261V18-375BZI CYPRESS 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC
CY7C1261V18-375BZXC CYPRESS 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC