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CY7C1170V18-400BZXC CY7C1170V18-400BZXC Cypress Semiconductor Corp 配給業者
製造業者識別番号CY7C1170V18-400BZXC
メーカー/ブランドCypress Semiconductor Corp
利用可能な数量68190 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
製品カテゴリメモリ
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード（D / C）New
データシートダウンロード CY7C1170V18-400BZXC.pdf

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品番
CY7C1170V18-400BZXC
生産状況（ライフサイクル）
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Obsolete
メモリの種類
Volatile
メモリフォーマット
SRAM
技術
SRAM - Synchronous, DDR II
メモリー容量
18Mb (512K x 36)
クロック周波数
400MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
-
アクセス時間
-
メモリインターフェイス
Parallel
電圧 - 供給
1.7 V ~ 1.9 V
動作温度
0°C ~ 70°C (TA)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
165-LBGA
サプライヤデバイスパッケージ
165-FBGA (13x15)
重量
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応用
Email for details
交換部品
CY7C1170V18-400BZXC

によって作られた関連部品 Cypress Semiconductor Corp

関連キーワード "CY7C11"

品番 メーカー 説明
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CY7C1141V18-300BZXC CYPRESS 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC
CY7C1141V18-300BZXI CYPRESS 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC
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CY7C1143V18-300BZC CYPRESS 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC
CY7C1143V18-300BZI CYPRESS 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC
CY7C1143V18-300BZXC CYPRESS 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC
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